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FET，MOSFET - 单个
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IXRFSM12N100

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
SMPD
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.05 欧姆 @ 6A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
77nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2875pF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
940W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
16-SMPD
封装/外壳
16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘
商品其它信息
优势价格，IXRFSM12N100的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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